存储芯片的这轮上行周期还能持续多久？两家机构给出了方向趋同、但幅度差异显著的预判。财联社11月11日消息，美国银行援引集邦科技资深分析师avril wu的观点指出，存储行业有望将当前的上升周期延续至2027年，并在2028年规避全面下行风险。
存储芯片
Wu于11月10日出席由美国银行主办的线上直播活动时表示，内存价格仍有进一步上行空间。她预测，2026年第四季度DRAM与HBM价格将环比上涨10%至20%，NAND闪存价格则将上涨8%至13%。更长期来看，她判断HBM价格到2027年或将较当前水平翻倍以上；而长期供应协议的普及，有望缓解2028年之后的价格剧烈波动——换言之，涨幅或难持续高企，但价格震荡幅度有望收窄。
美国银行整体认可该看涨逻辑，但在具体涨幅预估上更为审慎。该行预计，当季DRAM价格仅环比上涨8%，NAND仅涨3%，均明显低于集邦科技所给区间。双方分歧最突出的领域在于HBM：美银认为2027年HBM涨幅将低于50%，远不及Wu提出的“翻倍”预期；同时该行提示，价格回调可能最早于2027年初启动。
同一组供需基本面数据，却推导出两种节奏判断。这种差异并不意外——研究机构侧重分析产能缺口与长单结构，而投行还需综合客户持仓状况、估值水位及市场情绪等因素，对同一趋势自然会形成不同表述。不过，从双方表态中可提炼出一个共识：2027年仍是本轮周期的核心观察窗口，只是有人视其为高位平台期，有人则将其视为拐点临近阶段。至于2028年是否真能“避免下行”，两家机构的措辞均留有弹性空间，尚未给出明确的软着陆路径。
