随着ar/vr与超高清显示产业的迅猛发展，microled被全球业界普遍认定为下一代主流显示技术，也成为高端显示终端实现技术跃迁与性能跃升的关键突破口。目前主流采用的rgb并排式microled结构，在微米级像素尺度下仍受限于巨量转移精度、像素密度提升瓶颈以及色彩一致性控制难题，整体性能优化空间趋于收窄，难以充分满足高端显示应用场景日益严苛的技术要求。
在此背景下，垂直堆叠式架构正成为全球MicroLED前沿研发的核心路径之一。该架构突破传统红、绿、蓝三色像素横向并列排布的物理范式，转而通过将不同发光波长的LED外延层沿纵向逐层集成，从根本上规避横向布局带来的空间约束与尺寸限制，显著压缩像素间距、提升单位面积像素密度，并从结构源头缓解传统MicroLED长期面临的微缩化受限、色度均匀性差、光提取效率偏低等共性挑战。
近日，三安光电携手清华大学、厦门大学开展为期两年的产学研联合攻关，在堆叠式全彩MicroLED底层原理探索、关键工艺开发及技术体系构建等方面取得实质性突破，显著增强了企业在高端显示前沿领域的技术前瞻性与核心壁垒。
校企协同发力，完成堆叠架构色彩性能基础原理验证
本次合作充分发挥三安光电在MOCVD设备运行、外延生长工艺及应力精准调控等方面的产业化优势，同时依托高校在基础科学与器件物理层面的深厚研究积淀，成功在4英寸晶圆上完成堆叠式全彩MicroLED架构的可行性验证与机理分析。研发团队通过高精度制程协同控制，实现优异的单色光谱特性：红光半峰宽压缩至42nm、绿光半峰宽低至27nm、蓝光半峰宽达17nm，有效保障百万级微米像素点的色彩一致性，为后续达成覆盖95%以上BT.2020广色域的技术目标提供了坚实可靠的底层支撑。
原创光学结构设计，攻克堆叠架构核心性能瓶颈
研发团队基于半导体物理与先进光学理论，创新提出新型隧道结集成方案，在载流子注入效率与光子传输损耗抑制两个维度同步优化，显著提升器件整体光提取能力，并完成关键技术路径的有效验证。经国家权威检测机构实测，当前样片外量子效率（EQE）实现跨越式进展：蓝光EQE达32%，已达到国际一线厂商量产水平；绿光EQE为20%，表现突出；红光EQE突破3%，首次从原理层面打破业内长期存在的“堆叠结构红光效率低下”技术困局。该低功耗、高光效特性，亦进一步印证了堆叠架构在AR/VR穿戴设备、旗舰级超高清显示等前沿终端应用中的巨大适配潜力。
前瞻部署预研体系，引领高端显示迈入新纪元
从4英寸晶圆上纳米级外延层的精准调控，到微米级像素阵列的稳定点亮与光电性能持续优化，三安光电联合清华大学、厦门大学组成的产学研团队仅用两年时间，便完成了海外顶尖实验室历时五年方初步实现的技术探索进程。这一成果不仅体现了三安光电在下一代显示技术领域的战略远见、高强度研发投入与系统化攻坚实力，更标志着我国在MicroLED核心架构方向已具备与国际领先水平同台竞速的能力。面向未来持续演进的显示技术生态，公司将持续拓展高端显示技术边界，为全球MicroLED产业的可持续升级提供自主可控的核心技术储备与创新引擎。
以堆叠架构破局技术天花板，以自主创新筑牢产业根基——由前沿显示技术驱动的“高端显示”新时代，已然加速启幕。
