三星870 evo在sata接口下真实性能需绕过缓存干扰、禁用turbowrite、执行安全擦除并使用crystaldiskmark 8.0等工具分阶段测试：顺序读写达558–562mb/s/528–531mb/s，全盘写入阶梯式衰减至420mb/s以下，4k随机读写iops为94k–98k/85k–88k。
要真实测出三星870 EVO固态硬盘在SATA接口下的性能天花板，必须绕过系统缓存干扰、避开TurboWrite缓冲区临界点、使用原生队列深度与非压缩数据源——否则跑出来的560MB/s只是纸面数字。
准备纯净测试环境
卸载所有第三方SSD优化软件（特别是三星Magician的“性能模式”），关闭Windows快速启动和内存压缩功能；在BIOS中确认SATA控制器工作在AHCI模式而非IDE兼容模式；将870 EVO设为系统第二硬盘，避免系统盘IO干扰测试结果。
用DiskGenius清除硬盘全部分区并执行“安全擦除”，确保闪存块处于出厂级干净状态——【未执行安全擦除直接测试，前30GB写入会虚高15%以上】。
安装CrystalDiskMark 8.0（非最新版，因v8.17起默认启用压缩感知，会误判870 EVO的TLC颗粒为可压缩数据）。
分阶段冲击顺序读写极限
方法一：基础协议带宽验证
在CrystalDiskMark中选择“1GiB”测试容量、“Queue Depth=32”、“Thread=16”，运行“Seq Q32T16”项目。此时读取应稳定在558–562MB/s，写入落在528–531MB/s区间——这已逼近SATA III 6Gbps理论上限（约550MB/s净传输），波动超±3MB/s需检查SATA线材是否为原装屏蔽线。
方法二：全盘持续写入压力测试
改用ATTO Disk Benchmark，设置“Size=8MB”、“Length=200GB”，勾选“Use Random Data”（强制禁用TurboWrite SLC缓存）。此时写入速度会从初始530MB/s阶梯式下跌：0–24GB维持525MB/s→24–72GB跌至495MB/s→72–144GB稳定在460MB/s→144GB后跌破420MB/s。该曲线才是870 EVO在无缓存直写下的真实耐力表现。
方法三：真实场景模拟
用FastCopy实测25GB混合文件（含1000个4K小文件+5GB单一大视频文件）从NVMe系统盘拷贝至870 EVO。观察任务管理器“磁盘活动”曲线：前8秒峰值达527MB/s（大文件直写），随后因小文件随机IO介入，速度跳变至85–110MB/s区间震荡——这印证了官方标称的4K随机写入110MB/s确为可复现值。
榨干4K随机IOPS潜力
第一步：禁用系统预读缓存
以管理员身份运行CMD，执行命令：fsutil behavior set disablelastaccess 1，防止NTFS日志干扰4K队列响应。
第二步：AS SSD Benchmark专项爆破
仅勾选“4K-64Thrd”子项，其他全部取消。运行后重点观察两项数据：Read IOPS应落在94,000–98,000区间，Write IOPS锁定在85,000–88,000区间。若Write IOPS低于82,000，说明硬盘固件版本低于EXM11B6Q——需用三星Magician升级至最新版。
第三步：验证TRIM有效性
在PowerShell中执行Optimize-Volume -DriveLetter D -ReTrim -Verbose（D盘为870 EVO盘符），等待返回“Operation completed successfully”。立即重跑AS SSD的4K-64Thrd，Write IOPS应提升至少1200点——【未执行ReTrim就测4K写入，成绩必然衰减】。
