9月9日至11日，第二十七届中国国际光电博览会（cioe2026，以下简称“光博会”）在深圳隆重举行。作为芯片级光互连（optical i/o）领域的代表性创新企业，光联芯科携其自主研发的微环晶圆波长编辑系统——“至微”系列zw1000硅光无掩膜可编程光刻机，以及涵盖芯片、晶圆、光引擎等在内的19款核心产品，首次以独立展商身份亮相12号馆d81展位。
为应对高性能计算与AI算力集群在带宽密度与功耗控制之间的结构性矛盾，光联芯科围绕硅光芯片、光电共封装芯片、光引擎模组、底层制造装备、外延晶圆材料及先进光电封装技术，构建起覆盖全链路的自主创新体系，致力于打造支撑下一代超大规模AI训练集群所需的高带宽、高集成度、低延迟“电算光连”基础设施。
本次展出的产品矩阵中，“光驰”GC1000 3.2T MR-NPO光引擎与“光启”GQ1000 8英寸量子点晶圆两大新品均为国内首发。前者基于微环调制器架构，后者则面向量子点DFB激光器与多波长锁模光梳激光器提供关键材料支撑。光联芯科核心创始团队横跨战略研判、光学器件设计、高速电芯片开发及工艺装备研制多个维度，已形成高效协同的研发闭环，正加速推动前沿实验室成果向规模化量产转化。
光博会现场，光联芯科CEO陈超表示：“经过两年高强度投入与发展，我们在持续推出具有全球竞争力的突破性产品的同时，也在同步探索一条具备可持续性、可复制性的商业化路径，助力光互连技术真正扎根产业、走向纵深。”
光联芯科在2026光博会展出自研光互连全矩阵产品
“至微”ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机：突破微环器件量产良率瓶颈的关键装备
微环调制器因具备体积小、功耗低、集成度高等优势，被广泛视为下一代光互连的核心技术路径之一。然而，其产业化落地长期受限于极低的制造良率。由于微环结构对纳米级工艺偏差高度敏感，微小的制造波动即可导致谐振波长偏移，致使整片晶圆大量失效。当前行业公开数据显示，传统工艺下12英寸微环晶圆整体良率普遍低于10%，严重制约该技术路线的大规模部署。
针对这一行业痛点，光联芯科推出“至微”ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机——一款专为晶圆级波长动态修调而生的高端制造装备。该设备采用光-机-电深度融合架构，集成了无掩膜高速精准投影系统与高精度激光退火调控系统两大核心技术模块。
区别于依赖物理掩模的传统光刻方式，ZW1000可根据晶圆预检数据实现任意位置微环的毫秒级寻址与靶向曝光；并通过局域可控热场精确调控硅基材料微观晶格结构与折射率分布，完成皮米级（pm）精度的波长校准与离散度补偿。单张12英寸晶圆从检测、修调到最终校验出货，全流程压缩至5小时内，显著提升波长一致性，使晶圆级良率跃升至99%，彻底将微环制造模式由“被动筛选”升级为“主动精准调控”。
更值得关注的是，该设备支持按不同通信协议标准灵活设定目标波长，赋予出厂前硅光芯片“出厂即编程”的能力。作为国内首台实现量产应用的微环晶圆波长修调装备，ZW1000填补了高通量微环修调产线的关键空白，大幅摊薄单颗芯片制造成本，并全面适配光联芯科自建的12英寸硅光微环晶圆平台，为3.2T、6.4T乃至更高带宽光引擎的规模化商用奠定坚实制造基础，标志着我国在下一代高密度光互连芯片核心制造装备领域取得重大原创性突破。
“至微”系列ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机
国内首款“光驰”GC1000微环方案3.2T NPO光引擎：引领近封装光学新范式
本届光博会上，“光驰”GC1000 3.2T MR-NPO光引擎引发广泛关注。作为国产首款基于微环架构的NPO（Near-Package Optics）光引擎，该产品已完成向6.4T带宽的平滑演进能力验证。NPO作为迈向芯片间OIO直连的关键过渡形态，通过将光引擎紧邻AI计算芯片部署，显著缩短电信号传输路径，降低互连延迟与功耗。
鉴于微环器件对温度变化极为敏感——仅0.1℃温漂即可引发波长偏移并中断链路通信，GC1000创新集成光联芯科自研的波长锁定数模混合控制电路，相当于为微环系统配备一套响应速度达微秒级的智能温控中枢。无论数据中心服务器处于满载高温或空载低温工况，系统均可依托电芯片实时感知微环状态，并在极短时间内完成动态波长锁定，确保极端温变环境下链路持续稳定运行。
相较传统方案，GC1000整体芯片尺寸缩减超50%，动态链路插入损耗降低3dB以上，光源数量与整机功耗同步下降50%。目前已成功通过112G PAM4高速眼图测试，全面兼容数据中心1.6T、3.2T、6.4T及后续智算网络演进需求，在高密度部署场景下有效平衡体积、能效与可靠性三重挑战，将我国微环光互连技术成熟度提升至国际领先水平。
“光驰”GC1000 3.2T MR-NPO光引擎
国产首发“光启”GQ1000 8英寸量子点晶圆及配套激光器：夯实高速光通信光源材料根基
光联芯科正式发布国内首款8英寸GaAs基量子点外延晶圆，并同步展出基于该材料体系研制的量子点DFB激光器芯片与多波长锁模光梳激光器。该系列产品直击我国高端光通信光源器件长期受制于人的关键技术短板，加速推动核心光源自主可控进程。
8英寸GaAs量子点外延晶圆是支撑高性能光源芯片规模化制造的核心载体。本产品采用全国产化MBE分子束外延工艺，实现全套外延生长流程自主可控，可全面适配8波/16波锁模光梳及DFB激光器的大批量制造需求。相比主流3/4/6英寸晶圆，8英寸规格显著提升单批次产出效率，同时攻克大尺寸量子点异质外延的技术壁垒，为国产高端光源芯片的规模化量产筑牢底层材料根基。
基于该晶圆研制的GaAs量子点DFB激光器芯片，是国内高功率半导体激光器领域的重要进展。其实现单通道输出功率突破150mW，兼具优异单模抑制比与宽温区稳定性；所配套的多波长锁模光梳激光器可在单个器件内稳定输出8个波长，总输出功率超过200mW，各通道功率均大于10mW，相对强度噪声（RIN）低于-140dB/Hz。所有激光器芯片均支持硅光异质集成，可无缝对接硅光外置光源应用场景，有力赋能OIO与CPO等新型光电融合架构落地。此次展出的系列晶圆与芯片，进一步补强OIO全栈产业链条，为下一代高速光互连技术提供关键硬件支撑。
GQ1000 8英寸量子点晶圆及量子点DFB激光器与多波长光梳激光器
本次光博会，光联芯科集中展示了涵盖外延材料、芯片、器件、光引擎模组及高端制造装备在内的19项自主研发成果，完整呈现其在光互连全技术链条上的深厚积累与系统布局。
人才驱动：四位创始人协同构筑光互连创新引擎
光互连OIO属于典型的多学科交叉前沿领域，单一专业背景难以贯通技术研发、工程验证与产业落地全过程。光联芯科四位联合创始人凭借在全球顶尖高校与头部企业的深厚积淀，构建起覆盖战略决策、硅光芯片设计、高速电芯片开发、先进封装及系统集成的复合型能力矩阵，已成为定义未来计算架构中OIO技术标准与产业化方向的重要力量。
光联芯科四位创始人，从左至右：张巍巍、陈超、叶亚飞、胡志朋
CEO陈超兼具芯片技术背景、商业战略视野与创业孵化经验，全面主导公司技术路线选择、资源投入节奏与商业化推进策略；联合创始人张巍巍深耕硅光学术研究多年，毅然放弃海外终身教职回国创业，专注硅光工艺与核心装备研发，“至微”ZW1000正是其学术成果向工程化落地转化的标志性成果；联合创始人胡志朋深度参与国家级片间/片上光互连重点项目，主攻光器件与光系统级工程化落地；联合创始人叶亚飞拥有多年高速通信用ASIC芯片设计与量产管理经验，负责高速电芯片的设计开发与量产导入。
四位创始人在技术判断、发展理念与执行路径上高度一致，构成了国内罕见的“成建制”光电融合团队。在本次光博会多款重磅展品的研发过程中，光学与电学团队紧密协作、目标对齐，打通了光电协同设计、光电混合封装等关键环节，持续推动实验室前沿成果向产业级产品转化。
面向下一代智算中心光互连发展趋势，陈超指出：“OIO技术将不再局限于单点连接，而是深度融入整个超节点计算架构，其规模化落地的时间窗口，或将远早于业界普遍预期。”此次光博会系光联芯科作为光互连独角兽企业的首次独立参展，不仅全面呈现其全栈技术实力与产品矩阵，也被业界视为我国光互连产业加速崛起的重要标志。随着AI算力需求持续攀升，光联芯科将持续携手上下游生态伙伴，共同拓展智算中心光互连技术的新边界与新可能。
