澜起科技今日正式宣布，已在行业内率先启动cxl®3.2内存扩展控制器（mxc）芯片的试产工作。该产品聚焦人工智能、云计算及数据中心等高性能应用场景，致力于满足日益增长的内存扩展与资源池化需求，依托cxl技术赋能客户打造具备更大容量、更高利用率及更强灵活性的内存基础设施。
澜起科技率先试产CXL3.2内存扩展控制器
该CXL3.2内存扩展控制器全面支持CXL Type 3规范中的CXL.mem与CXL.io协议，基于PCIe®6.x和CXL3.2双协议架构开发，理论最高数据传输速率达64 GT/s。芯片内置双DDR5内存控制器，兼容最高8000MT/s速率的DDR5内存模组；通过实时将主机端CXL内存访问请求转换为底层DDR操作指令，显著提升主机与扩展内存之间的数据交互效率，有效突破传统服务器内存容量瓶颈。
同时，该芯片集成PCIe 6.x物理层（PHY）、DDR5 PHY、双RISC-V处理器子系统以及多样化管理接口，可灵活适配AIC（Add-in Card）、EDSFF等多种硬件形态的CXL内存扩展模块开发，为内存池化、分层内存架构及新型内存应用提供核心硬件支撑。
澜起科技总裁Stephen Tai先生表示：“本次CXL3.2 MXC芯片的业界首发试产，标志着澜起科技在CXL技术创新与产业化进程中迈出关键一步。面对AI时代对内存规模与性能提出的持续挑战，我们致力于提供兼具高带宽、大容量与高可靠性的内存扩展方案，加速CXL技术在数据中心与AI基础设施中的规模化部署。”
除芯片本身外，澜起科技同步配套推出完整的软件开发套件（SDK）及专业级分析测试工具链，全面支持客户开展产品设计、兼容性验证及量产导入全流程工作。目前，该CXL3.2 MXC芯片已成功导入三星、SK海力士等全球主流内存模组厂商的下一代CXL产品规划，并完成初步功能与性能验证。解决方案已适配Intel® Xeon®、AMD EPYC™等主流服务器平台，展现出优异的互操作性与实际运行表现。
客户与合作伙伴评价与反馈：
三星电子内存产品规划副总裁Jangseok Choi表示：“CXL3.2 MXC与DDR5内存技术的深度融合，为数据中心用户带来了性能与容量兼顾的全新选择。此次合作成果充分印证了CXL技术在拓展系统内存规模、优化资源调度效率方面的巨大潜力，也为构建面向AI时代的先进基础设施提供了有力支撑。”
SK海力士下一代产品规划与标准负责人Uksong Kang指出：“随着大语言模型与生成式AI应用的迅猛发展，内存正成为决定系统整体性能的核心要素。澜起科技MXC芯片在高容量内存扩展与跨节点资源共享方面展现出突出优势，我们期待未来在生态共建、联合验证及前沿产品创新等领域展开更深层次协作。”
英特尔高级研究员兼首席I/O架构师Debendra Das Sharma博士表示：“人工智能演进、新一代云架构升级以及产业经济格局变化，正在深刻重塑服务器内存体系结构，并进一步激发市场对CXL技术的需求。澜起科技CXL3.2 MXC芯片的推出，彰显出CXL生态日趋成熟——无论是在协议一致性、平台兼容性还是实际性能交付层面，均有力释放了下一代英特尔至强平台的内存扩展潜能。”
AMD计算与企业AI平台解决方案工程副总裁Amit Goel指出：“AI与数据中心典型负载正持续驱动系统架构革新，而内存已成为影响计算性能与横向扩展能力的关键变量。我们愿与澜起科技保持长期紧密合作，共同推进CXL技术落地，夯实面向未来的弹性高效内存架构基础。”
市场活动预告
澜起科技将于美国CXL DevCon与FMS展会现场重磅展出CXL3.2 MXC系列产品，诚挚邀请广大客户、行业伙伴及技术同仁莅临交流，共话前沿趋势，共谋合作新机！
CXL Mini DevCon
时间：2026年8月3日
地点：美国圣克拉拉万豪酒店（Santa Clara Marriott）
FMS
时间：2026年8月4–6日
地点：美国圣克拉拉会展中心（Santa Clara Convention Center） 展位号 #845
