必须确认主板和内存均支持手动调压，ddr4标准1.2v、超频至1.35v封顶，ddr5标准1.1v、超频建议1.30–1.40v；b760主板需进advanced mode，在tweaker→advanced memory settings→dram voltage中设mode为manual后输入目标值，保存后用cpu-z验证读数是否匹配。
确认内存是否支持手动电压调节
进入BIOS前必须确认主板和内存条均支持手动调压——DDR4内存标准电压为1.2V，DDR5为1.1V，但超频时需提升至1.35V（DDR4）或1.30–1.40V（DDR5）区间；若主板BIOS中无VDIMM选项或显示“Locked”，说明该主板（如部分H610/B660芯片组）或内存颗粒（如某些OEM条）被硬件锁定，强行加压将无效甚至触发保护关机。
技嘉B760M小雕、华硕TUF B760M、微星PRO B760M-A等主流B760主板已开放VDIMM调节，但需先进入Advanced Mode（高级模式），默认简易模式下不显示电压设置项。
BIOS中定位并修改内存电压值
重启电脑，开机瞬间反复按Del键进入BIOS；切换至Advanced Mode（右上角有切换按钮）；导航至【Tweaker】→【Advanced Memory Settings】→【DRAM Voltage】。
此处出现两个关键选项：【DRAM Voltage Mode】必须设为Manual（手动），否则下方数值不可编辑；设为Auto后所有手动输入会被忽略，系统仍按XMP预设电压运行，后续调参全部白费。
在【DRAM Voltage】输入框中键入目标值：DDR5建议从1.35V起步，体质好的海力士A-die颗粒可尝试1.40V；DDR4建议1.35V封顶，超过1.38V需搭配强化散热且单次加压不超过0.025V。
保存设置并验证电压是否生效
按F10保存退出，系统自动重启。
进入Windows后立即打开CPU-Z，切换到Memory标签页，查看【DRAM Voltage】一栏数值——若显示值与BIOS中设置完全一致（如BIOS设1.35V，CPU-Z读数为1.348–1.352V），说明调压成功；若仍显示1.100V（DDR5）或1.200V（DDR4），则BIOS中【DRAM Voltage Mode】未设为Manual，或主板固件版本过旧（如技嘉B760需7E11v10以上）。
此时不要继续测试稳定性，必须重新进BIOS核对模式设置，否则后续所有压力测试结果均不可信。
