7月3日，据海外媒体报道，有消息称部分iphone 18 pro机型或将搭载qlc闪存，该传闻与2024年关于iphone 16 pro的类似爆料高度吻合。
iPhone 18 Pro渲染图
据CNMO科技获悉，此次最新爆料指出，苹果计划为多数用户选购的常规容量版本配备性能更强的TLC闪存；而针对1TB、2TB等高容量版本，可能转而采用读写速度相对较低的QLC闪存。
作为全球头部科技企业，苹果长期面临高端存储芯片供应紧张的问题。在此背景下，采取差异化闪存策略实属情理之中——大规模采购1TB或2TB规格的TLC NAND芯片，即便技术上可行，实际操作难度也极高。叠加当前NAND闪存市场整体供需与价格走势，若全线采用TLC方案，将显著推高终端产品成本。
值得注意的是，早在2024年iPhone 16 Pro发布前夕，也曾出现几乎一致的传言：苹果拟为1TB及以上存储版本配备QLC闪存。
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目前，QLC与TLC是消费级固态存储领域应用最广泛的两种NAND闪存架构，二者在持续读写能力、随机性能及制造成本等方面存在显著区别：
读写性能表现
TLC闪存在缓外写入场景下普遍可维持300MB/s以上的稳定速率，旗舰级产品甚至可达3000MB/s以上；在大文件连续传输过程中极少出现明显降速现象，其随机写入性能约为同级别QLC产品的三倍。
QLC闪存在SLC缓存机制内运行时性能尚可，但一旦缓存耗尽，写入速度通常骤降至100–250MB/s区间，仅略优于传统HDD，在多任务并发或高负载使用环境下易引发响应延迟与卡顿。
成本与定价逻辑
TLC因结构复杂、良率控制难度更高，单位容量制造成本显著高于QLC，因此同容量规格下零售价普遍更贵。
QLC则依靠更高的存储密度实现单位TB成本大幅压缩，使其能够以更具竞争力的价格提供1TB乃至更大容量的存储选项。
