cnmo科技从海外媒体获悉，权威测试机构homolab对配备1tb存储的iphone 18 pro max开展了实机闪存性能评测。结果表明，在持续高强度写入任务下，该机的存储写入速率显著下滑，甚至不及部分入门级microsd卡的表现。
iPhone 18 Pro系列
据透露，iPhone 18 Pro Max的1TB版本选用了QLC架构闪存，单个存储单元可存储4比特数据，相较主流机型普遍采用的TLC闪存（每单元3比特），在同等物理体积内实现了更高容量密度，但其读写速度与寿命指标通常弱于TLC方案。HOMOLAB将该机与搭载512GB TLC闪存的iPhone 18 Pro进行了横向对比。
在加权4K随机读取测试中，两者成绩较为接近：QLC版得分为46045，TLC版为51282；而在混合型读写负载测试中，性能差距明显拉大——低队列深度时，TLC版本领先幅度达约38%，高负载压力下差距收窄至约12%。
测试还发现，iPhone 18 Pro Max延续了当前高端智能手机的常见设计，即配置一块大容量高速SLC缓存以应对瞬时突发写入需求。在缓存未满状态下，峰值写入速度可突破3000MB/s。一旦SLC缓存被填满，系统将自动切换至模拟TLC特性的二级缓冲区，此时平均写入速率为578MB/s，但波动性增强。当二级缓冲区也趋于饱和后，数据将直接落盘至QLC闪存阵列，此时持续写入均值仅为79.4MB/s，最低甚至跌至25.6MB/s，已低于不少平价microSD卡的实际表现。
此外，随着机身存储占用率提升，整体性能衰减趋势愈发明显。当可用空间剩余仅40%（即已使用60%容量）时，SLC缓存容量由空盘状态下的约250GB锐减至58GB；模拟TLC缓冲区的平均写入速度进一步下滑至396MB/s；而原始QLC直写阶段的平均速率则骤降至45MB/s，最低仅1.1MB/s，明显逊于其他旗舰设备所采用的TLC规格UFS 4.0存储方案。
海外媒体指出，对于常规轻量操作——例如即时通讯、网页浏览及日常拍照等——用户几乎不会察觉上述差异。然而，在执行长时间4K或ProRes格式视频录制、批量大文件拷贝、整机备份与恢复等持续高写入强度任务时，性能瓶颈将清晰显现。而这恰恰是选择1TB大容量版本的用户更可能频繁遭遇的典型使用场景。
