应清除cmos重置jedec初始化并关闭xmp/docp/expo等节能模式，再手动设dram电压（三星b-die 1.35v–1.375v、海力士cjr 1.35v、长鑫c-die 1.40v），同步启用vddq tracking、放宽trfc/trefi。
Windows 11在高负载或空闲唤醒时突然重启，事件查看器中反复出现KERNEL_SECURITY_CHECK_FAILURE或WHEA-Logger错误，单条内存测试稳定、多条合插即触发，温度与电源均正常——这极大概率是主板未给内存提供足够电压，导致DRAM信号在边界状态下失稳，触发硬件级复位保护。
清除CMOS并重置JEDEC初始化
CMOS里存着XMP/EXPO加载记录、电压偏移值、节能模式开关等全部自定义状态，一次误操作或固件Bug就可能让内存控制器卡在错误的供电路径上。物理放电是最彻底的归零方式。
关机后拔掉主机电源线→打开机箱侧板→用绝缘镊子取出CR2032纽扣电池→保持断电至少5分钟→按住机箱电源按钮持续15秒释放残余电荷→装回电池→接通电源线→开机进入BIOS。
在BIOS主界面找到“Load Optimized Defaults”或“Reset to Setup Defaults”选项，按回车执行重置。
重置后务必手动检查并关闭以下四项：【XMP/DOCP/EXPO、DRAM Power Down Mode、Memory Channel Power Down、Self-Refresh Deep Power Down】，全部设为Disabled。漏关任意一项都可能导致待机唤醒时内存通道供电中断，直接触发KERNEL_SECURITY_CHECK_FAILURE。
进入BIOS并解锁高级内存设置
多数主板默认隐藏内存供电调节项，必须先进入高级模式才能看到DRAM Voltage、VDDQ LLC等关键选项。
关机后拔掉电源线，按住机箱电源键5秒释放残余电量；重新接电开机，在品牌Logo出现瞬间连续敲击Delete键（华硕/技嘉/微星主流型号）或F2键（部分AMD主板）；进入BIOS后，按Ctrl+F1（华硕）或F7（技嘉）切换至Advanced Mode；使用方向键导航至AI Tweaker（华硕）、OC（技嘉）、Overclocking（微星）或Advanced Frequency Settings页面。
手动提升DRAM Voltage并匹配颗粒规格
主板默认常将DRAM Voltage锁死在JEDEC标称值（DDR4-1.20V / DDR5-1.10V），但启用XMP/EXPO后，三星B-die、海力士CJR或长鑫C-die等高密度颗粒需更高电压维持高频读写稳定性。手动设定精确电压值可直接补偿供电裕量缺口。
将内存配置模式由XMP/EXPO改为Manual；定位DRAM Voltage选项，依据内存颗粒类型设定：【三星B-die设为1.35V–1.375V，海力士CJR设为1.35V，长鑫C-die设为1.40V】；若原厂标称1.35V，可先尝试1.36V；同步检查VCCSA Voltage（Intel平台设为1.20V–1.25V，AMD Ryzen 7000设为1.15V–1.18V），确保内存控制器供电不成为瓶颈；按F10保存并退出，重启后观察是否仍发生无预警重启。
启用VDDQ Tracking并放宽tRFC/tREFI
单纯提升DRAM Voltage可能加剧信号反射与建立时间失配，尤其在DDR5平台上。启用VDDQ Tracking可使VDDQ电压动态跟随DRAM Voltage变化，维持IO接口电平一致性；配合放宽tRFC与tREFI，能显著降低高频刷新下的供电波动敏感度。
方法一：在BIOS内存调节页面中，启用VDDQ Tracking（DDR5必选）或VDDQ Voltage Sync（部分DDR4主板）。
方法二：查找tRFC（Refresh Cycle Time）参数，将其由Auto改为手动，并依颗粒类型设定：【三星B-die设为512，海力士CJR设为680，镁光E-die设为720】。
方法三：将tREFI（Refresh Interval）从默认值（如32768）提升至65536，延长刷新周期以降低高频下供电波动敏感度。
