曾深度参与台积电3nm量产产线技术攻关的中国籍科学家达博，近期正式辞去日本国立材料研究所（nims）终身研究员职务，携其核心科研团队整体回归祖国，全职加盟母校中国科学技术大学，受聘为讲席教授。达博1986年生于甘肃陇南，高考以全省状元身份考入中科大，完成本硕博一贯制培养；赴日后仅用一年即破格获得nims最年轻终身职位，创下该机构纪录。
达博是全球范围内极少数直接嵌入国际顶尖半导体制造一线研发体系的中国学者。他主导美国泛林集团（Lam Research）与NIMS的联合项目，深度聚焦台积电3nm先进制程所依赖的电子束曝光系统、高精度等离子刻蚀装备中的关键功能材料及核心元器件研发。其原创提出的“电子衍射光学”理论框架，有望重构下一代光刻技术路径，相关原理验证显示其潜在分辨率与工艺窗口或优于当前ASML主力EUV光刻系统。
尽管面临多家国际头部半导体企业极具竞争力的续约邀约与资源承诺，达博仍坚定选择回国，全力投入国产半导体高端装备底层核心技术的自主攻坚。这一回归恰逢全球半导体竞争重心由芯片架构与设计层，加速向基础材料、精密部件及工艺设备等“根技术”领域迁移的关键阶段，其团队的整建制落地，将显著增强我国在光刻、刻蚀等“卡脖子”环节的原始创新与工程转化能力。
