当前，ai芯片功耗持续攀升，cowos等主流封装技术所依赖的硅中介层已逼近散热能力上限，材料层面的突破正成为突破先进封装发展瓶颈的关键路径。据fortune business insights最新数据显示，2025年全球先进封装市场规模预计达423亿美元，到2034年将跃升至704亿美元。在高算力需求加速演进的背景下，先进封装产业正迎来前所未有的增长窗口。
作为国内少有的覆盖化合物半导体全产业链的企业，三安光电战略性聚焦碳化硅（SiC）、金刚石等宽禁带半导体材料，深度布局AR光学衬底、中介层、热沉三大核心应用方向，在先进封装领域建立起差异化技术壁垒。多项自主研发成果已进入客户送样或规模化交付阶段，为中国乃至全球AI芯片性能跃升提供关键材料支撑。
AR光学衬底：宽禁带特性加持，重塑光学集成新基底
在AR光学衬底领域，碳化硅凭借高达2.7的折射率（传统光学玻璃约为2.0）及超百倍于玻璃的热导率，兼具卓越透光性与高效导热能力。三安光电同步具备MicroLED显示技术与碳化硅光学材料开发能力，目前8英寸光学级碳化硅衬底已完成客户验证；12英寸产品已实现小批量出货，为AR/VR设备轻量化、高亮度与低热堆积提供底层材料保障。
碳化硅中介层：直击热管理瓶颈，赋能高端AI芯片封装
碳化硅中介层以约硅基材料3倍的热导率，显著缓解高密度互连带来的热积聚问题——实测可降低GPU芯片结温20–30°C，整体散热系统成本缩减约30%。当前，三安光电12英寸碳化硅衬底正协同国际头部AI芯片厂商开展下一代封装工艺适配验证，有望成为高性能计算芯片先进封装的新一代主流中介层方案。
热沉解决方案：金刚石+碳化硅双轨并进，覆盖全场景散热需求
在热管理模块方面，三安光电采取金刚石与碳化硅协同推进策略，灵活匹配不同功率等级与应用场景。其中，金刚石热沉基板热导率高达2300 W/(m·K)，在大功率激光器中相较传统陶瓷基板热阻大幅下降，已通过1000小时高温老化可靠性测试，并进入稳定批量交付阶段；碳化硅热沉产品亦完成多轮客户送样测试，商业化进程稳步提速。
全链条产能体系：夯实制造根基，加速技术产业化落地
产能是技术从实验室走向市场的核心支点。三安光电已在湖南、重庆建成两大先进化合物半导体制造基地，贯通“衬底—外延—芯片—模块”全工艺链。湖南基地6英寸碳化硅芯片月产能达16000片；8英寸衬底月产1000片、外延片月产2000片，8英寸芯片产线已全线贯通并量产；重庆基地8英寸衬底月产能达3000片，产能持续爬坡，有效强化大尺寸碳化硅材料供应能力。此外，湖南三安碳化硅二极管产品已形成650V至2000V全电压等级矩阵，累计出货超4亿颗，投产三年内销售收入近20亿元，在国内碳化硅功率器件市场占据领先地位，为先进封装材料规模化应用筑牢产业基础。
以宽禁带材料为引擎，夯实先进封装底层材料底盘；以前沿工艺为牵引，持续攻坚关键技术节点。三安光电正以自主创新的“中国材料方案”，助力全球AI芯片突破能效边界，推动先进封装产业向更高阶、更智能、更绿色的方向跃迁。
