5月13日，cnmo科技获悉，据产业链最新通报，此前引发业界高度关注的类hbm手机存储技术开发工作至今尚未实现突破性进展，相关研发计划或将正式中止。
存储芯片
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，现阶段主要部署于高性能计算平台、AI训练服务器及旗舰级独立显卡等场景，依托其超高带宽与优异能效比，已成为加速海量数据处理的核心硬件支撑。鉴于终端侧AI大模型正加速向手机端迁移，对内存带宽提出前所未有的严苛要求，部分厂商曾探索将类HBM架构适配至智能手机，以突破传统移动内存的性能边界。
但综合产业链多方反馈，该技术路径在移动端落地仍面临显著障碍：首要制约在于成本——HBM采用先进三维堆叠与微凸块互连工艺，封装复杂度高、良率控制难，致使单颗成本远超当前主流LPDDR5X方案；其次为热管理瓶颈——受限于手机内部毫米级堆叠空间与被动散热条件，HBM在持续高带宽运行时产生的集中热负荷难以高效疏导，易引发温控 throttling 甚至系统稳定性风险。
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当前主流手机厂商普遍选择延续优化LPDDR5X等成熟内存标准的技术路线，通过提升频率、增强通道效率及协同SoC内存控制器调度算法等方式渐进式释放带宽潜力，并未将类HBM纳入近期量产规划。行业共识指出：尽管端侧AI功能持续渗透将长期拉动内存带宽需求，但受限于工艺成熟度、系统集成难度及综合成本效益比，类HBM在智能手机领域的商用化仍需等待更长周期。（截至2026年5月13日）
