1月12日，全球存储巨头美光科技正式对外宣布，其备受瞩目的超大规模晶圆厂项目将于1月16日下午在美国纽约州举行奠基仪式，标志着工程进入实质性启动阶段。

该项目总投资额预计达1000亿美元，创下了纽约州迄今规模最大的私营领域投资纪录。

美光强调，在顺利完成全面的环境影响评估及所有法定审批程序后，项目用地已全面就绪，正式迈入施工建设周期。

该先进制造基地将分阶段建设总计四座现代化晶圆工厂，目标是建成全球技术最前沿、产能最领先的存储芯片生产基地，重点支撑人工智能、高性能计算等高增长领域的强劲需求。

公开信息显示，美光早在2022年10月即首次披露该建厂构想，原计划于2024年年中启动建设。但由于需应对长达上万页的环评文件审核流程，整体进度延后约一年半。

按照最新时间表，美光将在3月31日前完成场地清表作业，紧接着开展专用铁路支线铺设及湿地生态整治工作。首期工厂预计于2030年实现量产，二期工厂则计划在2033年投入运营；待2045年第四座工厂全部落成后，整个项目将直接带动约9000个高质量就业岗位。

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据市场研究机构Counterpoint Research发布的数据，在2025年第三季度全球HBM（高带宽内存）市场中，美光以21%的营收占比位居第三，次于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。

而在涵盖HBM在内的整体DRAM市场格局中，三方市占率分别为：SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。若美光后续能如期达成市场份额提升至40%的战略目标，则有望一举超越现有头部厂商，登顶全球存储芯片行业榜首。