Der Markt für Leistungshalbleiter verlangsamt sich und Berichte zeigen, dass chinesische Unternehmen auf 12-Zoll-Wafer und IGBT-Transistoren zurückgreifen

Nachrichten von dieser Website vom 28. November: Laut dem neuesten Bericht von TrendForce streben vor dem Hintergrund der Verlangsamung des Leistungshalbleitermarkts Festlandchinesische Unternehmen nach Durchbrüchen in den Bereichen 12-Zoll-Wafer und IGBTs und haben dies auch getan hervorragende Ergebnisse erzielt.

Im ersten Halbjahr 2023 verlangsamte sich das Umsatzwachstum bekannter chinesischer Gießereien wie SMIC, Hua Hong Semiconductor, Hefei Jinghe Integrated Circuit (Nexchip) und Shaoxing Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. (SMEC)

Unter ihnen stiegen nur die Umsätze von Huahong leicht, während die Umsätze von SMIC, Jinghe Integration und SMIC im Jahresvergleich um 19,29 %, 50,43 % bzw. 24,08 % zurückgingen. Aufgrund des Abschwungs in den Märkten für Unterhaltungselektronik, PCs und Kommunikation befindet sich die Gesamtleistung der chinesischen Waferfabriken in einem Abwärtszyklus.

Quelle: Shaoxing SMIC Integrated Circuit Manufacturing Co., Ltd.

Im ersten Halbjahr 2023 stieg der Umsatz mit diskreten Geräten von Huahong im Jahresvergleich um 33,04 %, die Wachstumsrate war jedoch geringer als die gleichen Zeitraum im Jahr 2022.

Die Zahl der börsennotierten Leistungshalbleiterunternehmen in den Top Ten mit negativem Umsatzwachstum wird im Jahr 2022 von 1 auf 4 steigen, und die Zahl der Unternehmen mit negativem Nettogewinnwachstum wird von 1 auf 8 steigen.

Obwohl sich das allgemeine Wachstum verlangsamt, IGBT ist zu einer wichtigen treibenden Kraft für Leistungshalbleiter geworden.

Unternehmen wie Silan Micro und China Resources Micro haben mit der Massenproduktion von IGBTs begonnen und ihr IGBT-Geschäft wächst schnell. Darüber hinaus steigt Wingtech Technology auch in den IGBT-Bereich ein. Es ist erwähnenswert, dass von Januar bis Juli 2023 17 IGBT-Projekte mit einer Gesamtinvestition von mehr als 15 Milliarden Yuan gestartet oder unterzeichnet wurden, was die schnelle Expansion chinesischer Unternehmen im IGBT-Bereich zeigt – Chinas größte Hersteller von Leistungshalbleitern Übergang von 8-Zoll-Wafern zu 12-Zoll-Wafern. Huahong hat eine 12-Zoll-Produktionskapazität implementiert und die Erweiterung des Wuxi-Phase-II-Projekts ist im Gange. Im Juni 2023 wird SMICs 12-Zoll-Spezialprozess-Siliziumwafer-Produktionslinie der Phase III die erste Charge von 10.000 Wafern produzieren. Im Bereich IDM bauen Unternehmen wie Wingtech Technology, Silan und China Resources Micro aktiv 12-Zoll-Waferfabriken, und ein Teil der Produktionskapazität wurde in Betrieb genommen. Diskrete Geräte beziehen sich im Allgemeinen auf alle grundlegenden Schaltkreiskomponenten Einzelfunktion, wie Transistoren, Dioden und Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten usw. Unter diskreten Bauelementen werden im engeren Sinne grundlegende Komponenten von Einzelfunktionsschaltkreisen aus Halbleitermaterialien verstanden, die aufgrund ihrer Funktion nicht in integrierte Schaltkreise integriert werden können. Volumen und technische Einschränkungen.

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein idealer Transistor, der für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen geeignet ist. IGBTs haben einen Nennspannungsbereich von 400 V bis 2000 V und einen Nennstrombereich von 5 A bis 1000 A. IGBTs werden häufig in industriellen Anwendungen (z. B. Wechselrichtersystemen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV)), Verbraucheranwendungen (z. B. Klimaanlagen und Induktionsherden) und Automobilanwendungen (z. B. Motorsteuerungen für Elektrofahrzeuge (EV)) eingesetzt.

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