Samsung entwickelt LLW-DRAM für terminalseitige KI und zukünftige XR-Headsets

Kompilieren/VR Gyro

Laut früheren Nachrichten kooperiert SK Hynix mit Vision Pro, um exklusiv DRAM-Speicherchips bereitzustellen. Dieser Chip ermöglicht in Kombination mit dem R1-Chip eine Echtzeit-Hochgeschwindigkeits-HD-Videoverarbeitung

Den neuesten Nachrichten zufolge entwickelt Samsung Electronics Low Latency Wide IO (LLW) DRAM und plant, Ende nächsten Jahres mit der Massenproduktion zu beginnen

Terminalseitiges KI-Diagramm, Quelle: Internet

Der derzeit gängige Speicherchip für mobile elektronische Geräte ist LPDDR, während LLW-DRAM die Bandbreite durch Erweiterung des Ein-/Ausgabepfads (I/O) erhöht. Da die Bandbreite direkt proportional zur Übertragungsgeschwindigkeit ist, kann dieser DRAM-Typ die Effizienz der Verarbeitung der von Geräten generierten Daten in Echtzeit weiter verbessern

Den Informationen zufolge kann LLW-DRAM nicht nur in XR-Endgeräten der neuen Generation verwendet werden, sondern auch in Produkten, die mit terminalseitiger KI ausgestattet sind. Im Gegensatz zur Cloud-KI muss die terminalseitige KI Hunderte Millionen Anweisungen direkt auf dem Gerät ausführen. Daher ist DRAM zur Verbesserung der Hilfsverarbeitung besonders wichtig, um große Datenmengen schnell zu verarbeiten, ohne zu viel Strom zu verbrauchen

In anderer Hinsicht entwickelt Samsung Electronics seit 2020 leichtgewichtige On-Device-KI-Algorithmen und wendet sie auf Systeme auf Chips (SoC), Speicher und Sensoren an, was seine Konkurrenz im Bereich der On-Device-KI-Halbleiterbranche stärken kann. Der Algorithmus wird erstmals in Samsungs intern entwickeltem generativen KI-Modell „Gaussian“ zum Einsatz kommen und soll im nächsten Jahr den Markt vollständig erobern.

Es besteht keine Notwendigkeit, die ursprüngliche Bedeutung zu ändern. Der Inhalt, der neu geschrieben werden muss, ist: Quelle: Business Korea

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