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SK Hynix kündigt die Einführung von HBM4E-Speicher bereits im Jahr 2026 an, mit der 1,4-fachen Bandbreite der Vorgängergeneration

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2024-06-03 09:43:241036Durchsuche

Laut Nachrichten dieser Website vom 14. Mai behauptete Kim Gwi-wook, der Leiter von HBM, kürzlich in einer offiziellen Ankündigung, dass die aktuelle HBM-Technologie in der Branche ein neues Niveau erreicht habe Die Nachfrage der Branche habe SK Hynix zu einer Beschleunigung veranlasst den Entwicklungsprozess und starten sie bereits im Jahr 2026. Für HBM4E-Speicher wird die relevante Speicherbandbreite das 1,4-fache der von HBM4 betragen.

SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存,带宽为上代 1.4 倍

Zusätzlich zu HBM4E wird laut früheren Berichten auf dieser Website berichtet, dass SK Hynix plant, die erste Charge von HBM4-Produkten mit 12-Lagen-DRAM-Stacking in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 auf den Markt zu bringen, während die 16- Schichtgestapeltes HBM wird später im Jahr 2026 auf den Markt kommen.

SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存,带宽为上代 1.4 倍

Der Entwicklungs-„Beschleunigungsprozess“ von HBM4/HBM4E zeigt zweifellos die starke Nachfrage nach Hochleistungsspeicher durch Giganten im KI-Bereich. Immer leistungsfähigere KI-Prozessoren erfordern die Unterstützung einer höheren Speicherbandbreite.

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„SK Hynix beschleunigt die Massenproduktion von HBM4-Speichern mit dem Ziel, die erste Produktcharge in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 auf den Markt zu bringen.“

„SK Hynix und TSMC haben ein Memorandum of Understanding mit dem Ziel unterzeichnet, HBM4 auf den Markt zu bringen 2026 in Produktion gehen"

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