本站 4 月 19 日消息,综合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 报道,英特尔考虑在未来的 High NA EUV 光刻节点导入定向自组装 DSA 技术进行辅助。
DSA是一项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一(本站注:另一项是纳米压印NIL),其利用嵌合共聚物的分子特性实现图案化。一般被认为适合辅助传统光刻而非独立运用。

SemiAnalysis认为,High NA EUV光刻面临的一个大问题就是关键尺寸(CD,衡量半导体工艺精细程度的关键指标)的一致性。定时照射剂量和光刻机晶圆吞吐量的矛盾导致了CD的变异。为了解决这个问题,需要采取一系列措施来提高光刻机的稳定性和光刻剂量的均匀性。
如果晶圆厂需要在保证关键尺寸的前提下拥有良好的图案化效果,那么就必须加大照射剂量。这将导致光刻过程放慢,光刻机晶圆吞吐量降低,晶圆厂成本负担加重。
如果晶圆厂以较高的吞吐量运行光刻机,那就意味着光刻图案的质量随照射剂量的减少而下降。此时 DSA 定向自组装技术就可发挥作用,修复光刻图案上的特征错误。
引入 DSA 定向自组装可在提升光刻图案质量的同时,降低照射剂量,提升光刻机晶圆吞吐量,使 High NA EUV 光刻更具成本可行性。
除 DSA 外,英特尔也考虑在 High NA EUV 光刻中导入图案塑形技术。
应用材料公司于去年初发布了Centura Sculpta图案塑形系统。该系统可定向精确修改晶圆上的特征图案,减少关键图层的光刻次数,也具有提升光刻图案质量的作用。
三星电子方面也有引入 Centura Sculpta 系统的意向。
英特尔研究员马克・菲利普(Mark Phillip)强调:“为了提高光刻工艺的效率,有必要引入光刻机以外的设备来进行补充。”
以上是消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻,提升图案质量的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

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