SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产

本站 4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。

进入 20~10nm 制程后，一般以 1 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10 nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。

三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产；

而近日据行业消息人士透露，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。

SK 海力士计划提前做好准备，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊等主要客户供货。

对于三星电子和 SK 海力士，其下代内存产品有望提升 EUV 光刻使用量，在减小线宽、提升速率同时带来更好能效；

参考本站此前报道，美光将在 1-gamma 纳米节点首次引入 EUV 技术，预计 2025 年量产，目前已进行了试产。

台企南亚则正在研发其首代 DDR5 内存产品，有望今年推出。

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