大厂减产保价策略奏效，DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期

本站 11 月 29 日消息，虽然双十一多数终端产品销售平淡，但在三大原厂（三星、SK 海力士及美光）大幅减产、控制产出的前提下，存储芯片现货涨价趋势持续，其中 NAND 因亏损较严重，涨幅较为明显。

据中国台湾媒体《工商时报》，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，Q4 合约价报价优于市场预期，其中 DDR5 上涨 15～20％，DDR4 上涨 10～15％，DDR3 上涨 10％，而原先预估仅 5～10％。同时，NAND 每家平均涨幅至少在 20～25％，涨幅明显更高。

此外，三星在DRAM方面给出了正常的报价，但是在NAND方面暂停了报价，也没有出货，最新的报价仍在观察中

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根据本站查询结果，InSpectrum的最新报价显示，近一周内4Gb和8Gb DDR4内存的现货价格基本保持不变，但近一个月的价格已上涨了3.03％和1.97％

在 NAND Flash 现货方面，256Gb 周报价基本持平，但和 512Gb TLC Flash 上涨 4.12％，月报价则分别上涨 15.25％和 27.78％。

根据 TrendForce 分析师的预测，DRAM 的报价在第四季度有望增长3～8％，而第三季度的跌幅为0～5％；NAND 的报价预计在第四季度将增长8～13％，远高于第三季度的跌幅5～10％

存储模组厂商透露，目前原厂对四季度 Flash（闪存）供应主打“拖延战术”，原先（模组厂）曾在 9 月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季，但 Flash 现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速 Flash 晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压，NAND Flash 晶圆涨势不减反增，主流 512 Gb 现货价单月调涨约 2 成，站上 2.6 美元。

据报道，三星在第四季度DRAM减产幅度高达30％，SK海力士和美光的减产幅度约为20％，而原厂对NAND的减产幅度更高。预计三大供应商都将持续减产至2024年中，资本支出和产出将重点放在利润更高的HBM和DDR5等方面

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