三星最近确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”,这是根据韩媒businesskorea的消息报道
韩国媒体称,三星已经开始向客户提供名为“Shinebolt”的样品,用于进行质量测试。该样品规格为8层24GB。此外,三星还计划很快完成12层36GB产品的开发
Shinebolt 的最大数据传输速度(带宽)约比 HBM3 高 50%,达 1.228TB / s,尽管三星的 HBM 开发和生产速度在某种程度上落后于 SK 海力士,但三星仍然计划重新夺回先进内存生产的领先地位。
HBM的关键在于每层之间的连接方式。三星一直使用热压缩非导电薄膜(TC-NCF)工艺,而SK海力士则采用质量回流成型底部填充(MR-MUF)工艺。然而,哪种工艺更好还需要市场来评判
由于三星在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士,因此他们开始重新制定战略,以夺回市场份额。目前,三星正在考虑加速开发HBM的“混合连接”工艺,以改变游戏规则
本站同时发现,三星内存业务总裁李正培此前已经表示:“我们目前正在生产HBM3,并且顺利开发下一代产品HBM3E,我们将进一步扩大HBM的生产以满足客户的需求。”
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