本站 8 月 16 日消息,根据市场调查机构 WebFeet Research 发布的最新预测报告,2023 年全年 NAND 市场规模为 346 亿美元(本站备注:当前约 2525.8 亿元人民币),同比下降 43%。

尽管人工智能浪潮对于闪存市场的影响尚不确定,但可以预见的是,服务器、笔记本电脑和智能手机的需求正在减少
尽管全球宏观经济趋于稳定,但该机构分析师预计各种负面风险因素仍将持续存在至今年年底
目前,由于2023年上半年PC需求低迷,NAND厂商正在采取减产措施来缓解高库存问题
尽管得到各国政府的强力支持,但 NAND 销售额的急剧下降使得许多闪存制造商陷入了困境
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以上是今年 NAND 市场预计下滑43%,规模将达到346亿美元的详细内容。更多信息请关注PHP中文网其他相关文章!

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在Windows11上安装BalenaEtcher的步骤在这里,我们将展示无需访问其官方网站即可在Windows11上安装BalenaEthcer的快速方法。1.打开命令终端(以管理员身份)右键单击“开始”按钮并选择“终端” ( Admin )。这将打开具有管理权限的Windows终端,以安装软件并以超级用户身份执行其他重要任务。2.在Windows11上安装BalenaEtcher现在,在您的Windows终端上,只需运行使用默认Windows包管理器

本站7月30日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276层)3DTLCNAND闪存量产出货。美光表示其G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率(即3600MT/s闪存接口速率),较2400MT/s的现有竞品高出50%,能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。同时美光的G9NAND在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%,这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。此外,与前代美光NAND闪存一样,美光276

8月9日消息,在FMS2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升。1.海力士展示了512GB和1TBUFS4.1通用闪存产品,基于321层V91TbTLCNAND闪存。SK海力士还展出了3.2GbpsV92TbQLC和3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒。海力士展示了基于V7

根据TrendForce的调查报告显示,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源TrendForce集邦咨询TrendForce表示,该机构原预计在连续

本站8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

本站3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。本站注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。▲图源中国闪存市场峰会CFMS官方,下同长江存储CTO霍宗亮表示,目前NAND闪存行业已度过了最艰难的2023年,今年将进入上升期,预计2023~2027年的闪存需求总量复合增长率可达21%,单台设备平均容量的复

根据国外媒体的报道,苹果将会在2026年发布的新iPhone手机上启用更大的存储设计,预计会是2TB。另外,消息称苹果将会使用QLCNAND闪存,原因可能是控制成本。1.存储容量的变化消息称,苹果可能在iPhone16上改变存储容量。不再使用三层单元(TLC)NAND闪存,而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。2.QLC闪存的优势与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据。在使用相同数量的单元时,比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更


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