SK海力士发布321层闪存，存储效率提升，引领新时代

韩国半导体巨头SK海力士在8月9日宣布取得了重大突破，成功发布了全新的321层1Tb TLC NAND闪存，使其成为全球首家正式开发300层以上NAND闪存的公司

SK海力士在NAND闪存领域取得了巨大的进步，他们的突破性技术成果是321层1Tb TLC NAND，相比上一代的238层512Gb NAND，效率提升了惊人的59%。通过增加每个芯片中存储单元的数量和层数，SK海力士成功实现了更大的存储容量，不仅提高了单片的存储能力，还有效地提升了每个晶圆上芯片的产量

SK海力士计划在2025年上半年开始量产这款321层1Tb TLC NAND闪存，为市场提供更大容量、更高效率的存储解决方案。

据小编了解，SK海力士除了推出了具有突破性的321层1Tb TLC NAND闪存，还推出了适应不同需求的下一代NAND产品。其中，企业级固态硬盘(eSSD)采用了PCIe 5(Gen5)接口，为企业级用户提供更快速的数据传输能力。此外，移动设备领域也将迎来UFS 4.0的亮点，为手机等设备带来更高速的闪存存储性能

SK海力士表示，公司将持续改进现有技术，并积极投入研发下一代产品，包括适应未来市场需求的PCIe 6.0和UFS 5.0产品，以引领行业发展。这些创新举措将进一步巩固SK海力士在半导体领域的领导地位，并为全球科技发展做出重要贡献

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