消息称三星正加速生产面向 AI 的 HBM 存储芯片，与海力士竞争

IT之家 6 月 27 日消息，今年 5 月，三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 承认，三星的代工技术落后于台积电。他同时表示，三星将在五年内超过台积电。据最新消息，三星计划在今年大规模生产专为人工智能应用而设计的高速存储芯片。

据外媒 KoreaTimes 报道，三星计划在 2023 年下半年大规模生产面向 AI 的 HBM 芯片，而目前，他们的主要目标是先迎头赶上 SK 海力士，后者在 AI 存储芯片市场迅速取得了领先地位。

IT之家注意到，2022 年 SK 海力士在 HBM 市场占有约 50% 的份额，而三星占有约 40% 的份额。美光占有剩余的 10%。然而，HBM 市场规模相对较小，仅占整个 DRAM 市场的大约1%。

尽管如此，随着 AI 市场的增长，对 HBM 解决方案的需求预计将增加，三星现在计划迎头赶上 SK 海力士，并大规模生产 HBM3 芯片以应对市场变化，当下应用 AI 的存储芯片正在愈发普遍，而高带宽存储解决方案也越来越受到关注。

而此前消息称，三星赢得了 AMD 和谷歌作为其客户，三星将在其第三代 4 纳米工艺节点上制造谷歌的 Tensor 3 芯片，传闻中的 Exynos 2400 SoC 也可能是在 4 纳米工艺上制造。

▲ 谷歌的 Tensor 3 芯片渲染图，图源 XDA

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