台积电考虑在日本扩大投资 IMEC协助研发2nm工艺技术

5月18日消息，日本半导体行业高层于今日上午在日本官邸举行了一次会谈。会议的主要参与者包括日本首相以及台积电董事长刘德音、英特尔 CEO Pat Gelsinger、美光 CEO Sanjay Mehrotra、三星电子 CEO 庆桂显、IBM 资深副总裁 Dario Gil、应用材料半导体产品事业群总裁 Prabu Raja、IMEC 执行副总裁 Max Mirgoli等行业重要人物。

根据路透社的报道，日本政府鼓励各公司增加对日本的直接投资，并且经济产业省将提供对半导体产业的援助。会后的记者会上，参与会议的西村康稔表示，美光已提出在日本广岛工厂进行最新一代DRAM的量产计划，并最高投资5000亿日元(约合255亿元人民币)。为促进先进半导体投资，日本政府将提供相关支持预算。半导体行业投资可获得1.3万亿日元（约合663亿元人民币）的预算补助。

西村康稔还在记者会上表示，英特尔正与日本的半导体材料厂和设备厂就后段工艺进行扩大合作。

除此之外，三星电子还计划在日本设立后段制程相关的研发中心，而应用材料将与日本先进半导体制造商Rapidus加强合作，以推动新产品开发和人才培育。

据ITBEAR科技资讯了解，台积电目前正在日本熊本县建设晶圆厂，在会谈中也提到考虑根据客户需求和日本政府的补贴，扩大在日本的投资。

此前报道还提到，IMEC计划在日本北海道设立研发中心，协助Rapidus研发2nm工艺的量产技术。

总之，本次会谈为日本半导体产业的发展提供了机遇，各公司表达了在日本市场的扩大投资意愿，并与当地公司加强合作以推动技术研发和创新。这将进一步提高日本半导体行业在全球市场上的竞争能力。

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