三星 8 层 HBM3E 芯片克服热量和功耗障碍，获得 Nvidia 批准

三星电子的8层HBM3E存储芯片成功通过了Nvidia的严格测试，将自己定位为快速发展的AI芯片行业的关键供应商。 HBM（即高带宽内存）是一种特殊类型的 DRAM，旨在以闪电般的速度处理大量数据。它是支持人工智能应用所需的复杂计算的关键组件。 HBM3E 是最新版本，提供比 HBM3 更高的性能和能效。

获得 Nvidia 的批准对三星来说是一个障碍，三星此前曾面临与 HBM 芯片的热量和功耗相关的挑战。随着人工智能应用的要求变得越来越高，该公司已经解决了这些问题，以满足 Nvidia 的标准。三星以及 SK 海力士和美光等公司正在竞相满足这一需求。

虽然三星的 12 层 HBM3E 芯片仍在评估中，但无论如何，8 层版本的批准对于该公司来说是向前迈出的一步。英伟达最近还首次批准了三星第四代高带宽存储芯片HBM3。不过，路透社此前表示，这些芯片可能只会用于中国专用的 Nvidia 显卡。

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