SK 海力士宣布最早 2026 年推出 HBM4E 内存，带宽为上代 1.4 倍

本站 5 月 14 日消息，HBM负责人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中声称当前业界 HBM 技术已经到了新的水平，行业需求促使 SK海力士将加速开发过程，最早在 2026 年推出他们的 HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4 的1.4倍。

除了 HBM4E 外，据本站此前报道，有消息称SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品，而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。

HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了AI领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的AI处理器需要更高内存带宽的辅助。

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