消息指出三星電子已提前組成 1dnm DRAM 記憶體技術開發團隊，目標重建優勢

本站 5 月 9 日消息，韓媒 Sedaily 引述業界消息人士的話稱，三星電子近日決定組建 1dnm DRAM 記憶體的技術開發團隊。

目前DRAM 記憶體產業的最新過程是10 nm 系列的第五代工藝，即1bnm;

三大記憶體廠商－ 三星電子、SK 海力士和美光的下一代DRAM製程1cnm 將於今年第三季至明年投入量產；

而1dnm 製程又在1cnm 之後，預計量產時間晚於2026 年。

三星電子在開發每代 DRAM 製程時，一般直到接近量產時的 PA（本站註：Process Architecture，製程架構）階段才會組成包含半導體和製程工程師的綜合團隊。這個團隊的主要任務是優化和調整製程參數，以提高晶片的效能和可靠性。同時，他們也負責解決製造過程中遇到的各種問題和難題，確保產品能夠準時交付市場。

而在 1dnm 節點上，團隊召集時間提早了 1~2 年，目前團隊的規模在數百人左右。

相較於目前的製程，1dnm 製程將提升 EUV 微影的用量，難度隨之加大。三星電子提前組成 1dnm DRAM 技術開發團隊早在加速量產準備過程中，縮短製程優化週期。

自2020 年來，三星電子難以在DRAM 記憶體技術上維持領先：

1anm 節點上，美光率先量產；來到1bnm，三家量產時間大致相當；而在即將到來的1cnm 節點，SK 海力士有望取得領先。

而在產品端，由於先前解散 HBM 記憶體研發團隊的錯誤決定，三星電子目前在 HBM3 (E) 記憶體的競爭中也處於落後地位。

三星電子希望透過提前加大在 1dnm DRAM 開發上的人力資源投入，止住目前的頹勢，重新建立起內存技術優勢，並透過 DRAM 的技術升級推動 HBM 業務發展。

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