AI 潮影響明顯，TrendForce 上修本季 DRAM 記憶體、NAND 快閃記憶體合約價漲幅預測

根據TrendForce的調查報告顯示，AI浪潮對DRAM記憶體和NAND快閃記憶體市場帶來明顯影響。在本站5月7日消息中，TrendForce集邦諮詢在今日的最新研報中稱該機構調升本季兩類儲存產品的合約價格漲幅。

具體而言，TrendForce 原先預估2024 年第二季DRAM 記憶體合約上漲3~8%，現估計為13~18%；

而在NAND 快閃記憶體方面，原預估計上漲13~18%，新預估為15~20%，僅eMMC / UFS 漲幅較低，為10%。

▲ 圖源 TrendForce 集邦諮詢

TrendForce 表示，該機構原預期在連續兩三個季度的漲價後，DRAM 記憶體、NAND 快閃記憶體需求方接受大幅漲價的意願不強。

但來到四月下旬，儲存業者完成台灣地區地震後首輪合約價議價，漲幅相較預期擴大。究其原因，除買方意圖支撐手中庫存價格外，影響更大的是 AI 熱潮對儲存業供需雙方帶來了心理上的轉變。

在DRAM 市場方面，儲存原廠擔憂HBM 記憶體產能的放量將進一步排擠傳統記憶體的供給：

根據本網站早前報道，美光錶示HBM3E記憶體的晶圓量消耗3倍於傳統DDR5記憶體；研究中稱，至2024年底三星電子1αnm製程整體DRAM產能的約六成將由HBM3E記憶體佔用。

需求方在評估後，轉而考慮在二季度提前為 DRAM 內存進行備貨，應對三季度起 HBM 內存產量提升帶來的供應緊張局勢。

而在 NAND 快閃記憶體產品上，節能成為 AI 推理伺服器的優先考量，北美雲端服務業者擴大對 QLC 企業級固態硬碟的採用。快閃記憶體產品庫存加速下降，在此背景下部分供應方出現了惜售心態。

不過研發也提到，受限於消費級產品需求復甦情況尚不明朗，儲存原廠對非HBM 記憶體產能的資本支出仍趨於保守，尤其是仍處於損益平衡點的DRAM 快閃記憶體。

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