mosfet的工作原理

MOSFET的工作原理：閘極偏壓施加電場，在基板中產生場效應。場效應形成反型層，連接源極和汲極。反型層形成通路，電流從源極流向汲極，實現導通。撤銷閘極偏壓，反型層消失，電流流被阻斷，實現截止。

MOSFET 的工作原理

金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET) 是一種廣泛用於電子產品中的半導體裝置。它的工作原理是基於場效應。

場效應

當電場施加到半導體時，它會影響半導體中載子的行為。例如，正電場會將電子（負電荷載子）排斥到半導體的一側，留下更多的電洞（正電荷載子）。這種效應稱為場效應。

MOSFET 結構

MOSFET 由矽基板、源極、汲極和閘極組成。

• 矽基板：半導體材料（通常為 N 型或 P 型），構成 MOSFET 的基礎。
• 源極和汲極：金屬接點，用於向 MOSFET 提供電流。
• 閘極：導體（通常是金屬）和絕緣層（氧化物）之間的金屬接點，用於控制 MOSFET 的導通和截止。

工作原理

MOSFET 的工作原理涉及以下步驟：

1. 閘極偏壓：當正電壓施加到閘極時，它會在基板和絕緣層之間產生一個電場。
2. 場效應：電場會吸引基板中的電洞或電子（取決於基板的類型），形成一個稱為反型層的區域。
3. 反型層：反型層是一個電導性較高的區域，連接源極和汲極。
4. 導通：當反型層形成時，電流可以從源極流向汲極。 MOSFET 導通。
5. 截止：當撤銷閘極偏壓時，反型層消失，電流流不再能夠流向汲極。 MOSFET 截止。

透過控制閘極電壓，可以開啟或關閉 MOSFET，從而控制電流的流動。

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