鎧俠目標 2031 年推出 1000 層 NAND 快閃記憶體，重組儲存層級記憶體業務

根據日經xTECH報道，鎧俠CTO宮島英史在最近舉辦的第71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，該企業目標2030~2031年推出1000層的3D NAND 閃存，並對儲存級記憶體（SCM）業務進行了重組。

鎧俠與西部數據攜手開發 NAND 快閃記憶體技術，目前這對合作夥伴最先進的產品是 218 層堆疊的 BICS8 3D 快閃記憶體。 BICS8 快閃記憶體可以實現3200MT/s的I/O速率。

2022年，另一家主要NAND企業在技術日上展示了類似的觀點。預測到2030年時，他們計劃實現1000層堆疊的3D NAND儲存。

提升堆疊層數是提升單顆 3D NAND 快閃記憶體顆粒容量的主要途徑。然而在層數提升的過程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度隨著深寬比的增加逐漸加大。

除高難度和低良率外，高深寬比蝕刻也是一項耗時財的製程：目前每次這種蝕刻約需1 小時，NAND 廠若想提升產能，則必須購進更多的蝕刻機台。

因此鎧俠在 BICS8 中使用了雙堆疊製程，分開實現兩個 NAND 堆疊的垂直通道蝕刻。

此舉增加了在雙堆疊間通道的麻煩，但整體而言還是降低了難度。未來千層堆疊NAND 快閃記憶體可望包含更多個NAND 堆疊。

此外宮島英史也表示，相較於同時經營NAND 和DRAM 的競爭對手，鎧俠在業務豐富程度上面處於競爭劣勢，因此有必要培育存儲級內存（SCM）等新型儲存產品業務。

這位 CTO 稱，在 AI 熱潮下，DRAM 同 NAND 之間的性能差距正在拉大，而 SCM 可填補這一空白。

鎧俠於 4 月 1 日將先前的「記憶體技術研究實驗室」重組為「先進技術研究實驗室」。其 SCM 研究將集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型記憶體上，預計 2~3 年內出貨。

參考本站報導，鎧俠之前在 SCM 領域主要聚焦 XL-FLASH 快閃記憶體方案。該企業於 2022 年推出了可支援 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。

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