本站 3 月 21 日消息,美光在發布季度財報後舉行了電話會議。在該會議上美光 CEO 桑傑・梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示,相對於傳統內存,HBM 對晶圓量的消耗明顯更高。
美光錶示,在同一節點生產同等容量的情況下,目前最先進的HBM3E 記憶體對晶圓量的消耗是標準DDR5 的三倍,並且預計隨著性能的提升和封裝複雜度的加劇,在未來的HBM4 上這一比值將進一步提升。
參考本站以往報道,這一高比值有相當一部分原因在 HBM 的低良率上。 HBM 記憶體採用多層 DRAM 記憶體 TSV 連線堆疊而成,一層出現問題就意味著整個堆疊報廢。目前 HBM 的良率僅約 2/3,明顯低於傳統記憶體產品。
目前,由於 AI 領域的蓬勃發展,熱門產品 HBM 一直處於供不應求的狀態。 SK 海力士今年的 HBM 產能已經售罄,三星也早已完成了今年大部分產能的配額談判。梅赫羅特拉此次更是進一步表示,美光的 HBM 產能連明年的都基本上被預定完畢。
HBM 的高需求,加上其對晶圓的高消耗,擠壓了其他 DRAM 的投片量。美光錶示非 HBM 記憶體正面臨供應緊張的局面。
此外,美光宣稱其 8Hi HBM3E 記憶體已開始大批量出貨,可在截至 8 月末的本財年中貢獻數億美元的收入。
對於 12 層堆疊 36GB HBM3E,梅赫羅特拉表示這一未來產品已於本月初完成採樣,目標到 2025 年實現大批量生產。
以上是美光:HBM 記憶體消耗 3 倍晶圓量,明年產能基本預定完畢的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!