消息指出 SK 海力士、三星電子今年針對 HBM 記憶體大幅擴產，但目前良率僅 65%

本站 3 月 4 日消息，根據韓媒 DealSite 報道，SK 海力士、三星電子今年針對 HBM 內存大幅擴產。不過 HBM 記憶體有良率較低等問題，難以跟上 AI 市場相關需求。

作為AI 半導體市場搶手貨的HBM 內存，其採用晶圓級封裝（WLP）：在基礎晶圓上通過TSV 矽通孔連接多層DRAM 內存晶圓，其中一層DRAM 出現問題就代表整個HBM 堆疊的報廢。

▲HBM 記憶體結構示意圖。圖源 SK 海力士

以 8 層堆疊產品為例，如果每一次堆疊的良率均為 90%，那麼整體 HBM 堆疊的良率就僅有 43%，超一半 DRAM 被丟棄。而當 HBM 進入到 12 層乃至 16 層堆疊，良率則會進一步降低。

DealSite 表示，目前 HBM 記憶體整體良率在 65% 左右，明顯低於傳統記憶體產品，而由於 WLP 的性質，良率也難以達到 80% 乃至 90%。

另一方面，SK 海力士、三星兩家在 HBM 記憶體中占主導地位的廠商，今年均大幅擴張產能。

根據韓券商Kiwoom Securities 估計，三星電子的HBM 內存月產能預計將從去年第二季的2.5 萬片晶圓增加到今年第四季的15~17 萬片；同期，SK 海力士的月產能預計將從3.5 萬片躍升至12~14 萬片。

不過相對AI 市場對HBM 記憶體需求，SK 海力士和三星的產能增幅仍顯不足：根據本站近日報道，SK 海力士高層再次確認今年HBM 產能配額已經售罄；另據韓媒NEWSIS 去年末報道，三星也早已就今年產能完成了同大客戶的談判。

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