iPhone 16或將採用QLC閃存，新策略引發關注，效能成謎待探究

引發了業界和消費者的熱議的是蘋果的一項硬體升級決策。據悉，蘋果計劃在即將推出的iPhone 16系列中採用速度相對較慢的四層單元(QLC)NAND閃存，來取代傳統的三層單元(TLC)NAND閃存。這項決策尤其針對儲存容量達到或超過1TB的機型。這項決策的影響引起了廣泛討論。有些人擔心四層單元快閃記憶體的速度較慢可能會影響手機的效能，而有些人則認為這樣的升級能夠提供更大的儲存容量，滿足用戶對於手機儲存需求的成長。蘋果目前還未對此事做出官方回應。

這項變更主要是由於QLC快閃記憶體的技術特性。相較於TLC快閃記憶體，QLC快閃記憶體的每個儲存單元可以儲存更多的資料位，因此在相同數量的儲存單元下可以實現更大的儲存容量，或在達到相同儲存容量時使用更少的儲存單元。這種技術的引入有助於蘋果降低生產成本，並提高儲存空間的利用效率。

小編了解到，QLC快閃記憶體的寫入耐久性可能會降低，讀取資料也容易受到雜訊幹擾，導致位元錯誤率上升。這意味著，若iPhone 16系列採用QLC快閃記憶體，部分高容量版用戶可能會遇到資料寫入速度較慢的問題。

蘋果的這項決策引起了市場和消費者的不同反應。有人認為，這是蘋果在平衡利潤和成本之間的妥協，而另一些人則擔心這可能會對iPhone 16系列的效能和使用者體驗產生負面影響。無論如何，這些問題仍需要在新款iPhone正式發布和市場檢驗之後才能得到解答。

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