1月17日訊息,蘋果的升級越來越看不懂了,iPhone 16系列要用速度更慢的QLC快閃記憶體。
根據供應鏈最新消息,蘋果可能會改變儲存容量,不再使用三層單元(TLC)NAND 快閃記憶體,而是在儲存容量達到或超過1TB的機型上使用四層單元(QLC )NAND快閃記憶體。
與TLC相比,QLC的優勢在於每個儲存單元可以儲存四位數據,在使用相同數量的單元時比TLC儲存更多的數據,或者使用更少的單元儲存更多的數據,而這可以降低生產成本。
此外,QLC快閃記憶體被認為不如TLC快閃記憶體可靠,寫入資料的耐久性會降低,因為每個單元寫入的次數更多,因為每個單元多包含一個位元。
QLC NAND快閃記憶體可以儲存16種不同的電荷電平,而TLC只能儲存8種電荷電平。讀取資料時,由於電荷量增加,裕量減少,這就有可能因雜訊增加而導致位元錯誤增加。
如果蘋果繼續執行這項計劃,一些版本的iPhone 16 用戶可能會遇到資料寫入速度低於低容量用戶的情況。
以上是蘋果透過使用QLC快閃記憶體取代TLC來降低成本,但帶來更低的壽命和性能的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!