本站1 月16 日消息,根據韓媒《首爾經濟日報》報道,SK 海力士計劃在2024 年之前,完成對無錫C2 工廠的改造,轉換升級為第四代(1a) D-ram 工藝,製程達到 10nm 等級。
#無錫工廠是SK hynix公司的核心生產基地,約佔其D-RAM總產量的40%。該廠目前生產10奈米後期等級的第二代(1y)和第三代(1z)D-RAM,屬於舊產品線。
據消息稱,SK 海力士計劃在無錫工廠完成第四代D-RAM 的一部分工藝,並將晶圓運送到位於韓國總部利川園區內,經過EUV 加工後再返還至無錫工廠。
由於第四代產品只有一個 D-RAM 層需要採用 EUV 工藝,該公司顯然認為成本增加是值得的。
在2013年無錫工廠大火期間,該公司克服了D-RAM生產中斷的困難,累積了豐富的經驗。
關於無錫工廠的製程轉型,SK 海力士表示無法確認該公司具體的工廠營運計畫。
以上是SK 海力士無錫工廠升級將推出第四代 DRAM產品的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!