顯存技術重大突破，消息指出 SK 海力士明年將推 2.5D fan-out 封裝方案

本站 11 月 28 日消息，根据韩媒 Business Korea 报道，SK 海力士计划明年发布“2.5D fan-out”集成存储芯片封装方案，实现两个芯片之间的端到端连接。

封装方案是将两个DRAM芯片水平并排放置，并将它们组合成一个芯片。这种方案的优势在于芯片下方没有添加基板，使得成品微电路更加薄

本站援引该韩媒报道，台积电自 2016 年以来一直使用类似的安排来集成不同的芯片，并应用于苹果的处理器生产中，不过存储厂商此前并未关注过这项技术。

HBM 型存储芯片的垂直集成固然可以显著增加接口带宽，但成本高昂，而 SK 海力士研发的“2.5D fan-out”，能有效降低生产 DRAM 芯片成本，预估会在游戏显卡的 GDDR 显存中使用。

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