三星交付 HBM3E 內存樣品“Shinebolt”，頻寬高達 1.228TB / s

三星最近確認將第五代HBM3E產品命名為“Shinebolt”，這是根據韓媒businesskorea的訊息報告

▲圖源 韓媒businesskorea

韓國媒體稱，三星已經開始向客戶提供名為「Shinebolt」的樣品，用於進行品質測試。此樣品規格為8層24GB。此外，三星還計劃很快完成12層36GB產品的開發

Shinebolt 的最大資料傳輸速度（頻寬）約比HBM3 高50%，達1.228TB / s，儘管三星的HBM 開發和生產速度在某種程度上落後於SK 海力士，但三星仍然計劃重新奪回先進記憶體生產的領先地位。

HBM的關鍵在於每層之間的連接方式。三星一直使用熱壓縮非導電薄膜（TC-NCF）工藝，而SK海力士則採用質量回流成型底部填充（MR-MUF）工藝。然而，哪種工藝更好還需要市場來評判

由於三星在HBM的開發和生產速度上落後於SK海力士，因此他們開始重新制定戰略，以奪回市場份額。目前，三星正在考慮加速開發HBM的「混合連接」工藝，以改變遊戲規則

本站同時發現，三星內存業務總裁李正培此前已經表示：「我們目前正在生產HBM3，並且順利開發下一代產品HBM3E，我們將進一步擴大HBM的生產以滿足客戶的需求。」

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