新一代記憶體技術誕生：三星開發32Gb DDR5 DRAM，容量翻倍

9月1日消息，三星電子在今日宣布重大突破，成功開發出基於12奈米(nm)級製程技術的32Gb DDR5 DRAM記憶體模組，為未來的資料處理和儲存領域注入了新的活力。這項突破性技術將有望滿足不斷增長的人工智慧和大數據應用對高容量DRAM記憶體的需求。

這款新型的32Gb DDR5 DRAM記憶體模組的推出，不僅意味著容量的大幅提升，在能源利用方面也表現更為高效。透過新開發的32Gb內存顆粒，即使不使用矽通孔(TSV)工藝，也能夠生產128GB內存模組。與過去基於16Gb內存顆粒的128GB內存模組相比，新產品的功耗降低了約10%。這項技術進步使得新記憶體模組成為資料中心等高度關注能源效率的企業的首選解決方案

根據小編的了解，三星電子記憶體事業部記憶體開發組執行副總裁SangJoon Hwang表示，基於12奈米級32Gb DDR5 DRAM記憶體模組的基礎，三星將繼續擴展其大容量記憶體產品陣容，以滿足高效能運算和IT產業不斷增長的需求。三星將以這項技術為基石，為資料中心、人工智慧和下一代運算等領域的客戶提供更強大的12奈米級32Gb記憶體解決方案，進一步鞏固其在未來記憶體市場的領先地位

這款創新的12奈米級32Gb DDR5 DRAM記憶體模組預計將在今年底開始量產，為產業帶來更大的潛力和發展機會。三星電子將繼續與其他核心產業夥伴保持緊密合作，共同推動技術創新的發展，為數位時代的需求提供強大支持。

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