本站 8 月 24 日消息,TrendForce 最新研究显示,第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元,环比增长 20.4%,终结连续三个季度的跌势。
分析师表示,本季度的增长是由于人工智能服务器需求的增加,推动了高带宽内存(HBM)的出货量增长,再加上客户端DDR5的备货潮,导致三大原厂的出货量都有所增长
其中,SK 海力士出货量环比增长超过 35%,且平均价(ASP)较高的 DDR5、HBM 出货占比显著增长,因此逆势成长 7~9%,Q2 营收环比增长近 5 成达 34.4 亿美元(本站备注:当前约 250.43 亿元人民币),回归第二名。 重写后的内容:由于SK 海力士的出货量环比增长超过 35%,且平均价(ASP)较高的DDR5、HBM出货占比显著增长,因此逆势成长了7~9%。第二季度的营收环比增长近 5 成,达到了34.4 亿美元(约合人民币 250.43 亿元),使其重新回到了第二名的位置

三星电子目前DDR5制程相对落后,且占比有限,再加上ASP下跌约7~9%,但得益于Q2模组厂备货及AI服务器建设需求故出货略增长,因此Q2营收环比增长8.6%,营收达45.3亿美元(当前约329.78亿元人民币)位居第一名
虽然美光在HBM技术的发展方面落后,但DDR5仍然占据一定的出货比重,使得平均售价保持稳定。在出货量的推动下,美光的营收约为29.5亿美元(约合214.76亿元人民币),环比增长15.7%。然而,三星和美光的市场份额都有所缩减
除此之外,南亚科、华邦同样略有增长,而力积电受需求冷清影响,及其制程较为落后,缺乏竞价优势,DRAM 营收衰退约 10.8%,为本季唯一衰退的原厂,若计算代工营收的话则衰退 7.8%。
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根据Omdia的报告,三星在DRAM市场中占据领先地位,市场份额达到42.8%,但营收同比下降了61.2%
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本文将探讨主板上的DRAM指示灯的作用。当主板上的DRAM指示灯显示为橙色,但没有任何显示时,可能意味着存在一些硬件问题。在这种情况下,本文将提供一些建议来解决这些问题。主板上的DRAM指示灯为橙色,但没有显示主板是计算机的核心硬件,连接其他硬件组件如CPU、RAM和硬盘。当硬件出现问题,主板会发出报警音或通过LED指示灯显示问题。若DRAM指示灯为橙色但没有显示,可尝试以下建议。执行硬重置清除CMOS重新拔插您的内存条并检查各个内存条刷新您的BIOS问题可能出在您的内存或CPU上获得专业支持让

韩媒TheElec报道称,三星和美光将在下一代DRAM内存中,即1cnm工艺中引入更多新技术。这一举措有望进一步提升内存性能和能效。三星和美光作为全球DRAM市场的主要领导者,其技术创新将推动整个行业的发展。这也意味着未来的内存产品将更加高效和强大。本站注:1cnm世代即第六个10+nm世代,美光也称之为1γnm工艺。目前最先进的内存为1bnm世代,三星称其1bnm为12nm级工艺。分析机构TechInsights高级副总裁ChoiJeong-dong在近日的一场研讨会上表示,美光将在1cnm节

本站 6 月 24 日消息,韩媒 BusinessKorea 报道,业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。在这篇论文中,SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%,实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。据介绍,与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同,3D DRAM 垂直堆叠单元,可以在相同空间内实现更高的密度。不过,SK海力士

dram灯一直亮开不了机的解决办法:1、检查内存条是否正确安装在内存插槽中,将内存插入到插槽中并确保已经牢固固定在位;2、使用压缩气体或软刷清理内存插槽,确保没有灰尘或杂质影响内存条的接触;3、检查内存条是否损坏或无法正常工作,选择与主板兼容的内存条更换,并确保内存条的规格、容量和速度与主板的要求相符;4、重新插拔内存条,确定内存条接触良好;5、更换主板。

本站9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合本站此前报道,三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线,即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

根据TrendForce的调查报告显示,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源TrendForce集邦咨询TrendForce表示,该机构原预计在连续

本站8月12日消息,韩媒ETNews报道称,三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1cnmDRAM内存产线的投资计划,该产线目标明年6月投入运营。平泽P4是一座综合性半导体生产中心,分为四期。在早前规划中,一期为NAND闪存,二期为逻辑代工,三期、四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM生产设备,但搁置了二期建设。而1cnmDRAM是第六代20~10nm级内存工艺,各家的1cnm(或对应的1γnm)产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称,三星电子计划在今年底启动1cnm内存生产。▲三星平泽

DRAM存储器的中文含义是动态随机存储器;随机存储器分为静态随机存储器和动态随机存储器;DRAM存储器的主要作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特是1还是0。


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