SK海力士開發出新HBM3E記憶體：用於AI產業

DoNews 8月21日消息，SK 海力士 21日宣布，已成功研发出面向人工智能的超高性能DRAM新产品HBM3E，并已开始向客户提供样品进行性能验证

HBM（高带宽内存）是指通过垂直连接多个DRAM来显著提升数据处理速度。HBM DRAM产品按照顺序分为HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）和HBM3E（第五代）。HBM3E是HBM3的扩展版本

SK 海力士表示，新品最高每秒可以处理 1.15TB（太字节）的数据。其相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清（Full-HD，FHD）级电影（5 千兆字节，5GB）。将从 2024 年上半年开始投入 HBM3E 量产。

SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF最新技术，使得散热性能相较上一代提高了10%。而且HBM3E还具备向后兼容性，这意味着客户在使用基于HBM3构建的系统时，无需对设计或结构进行修改，就可以直接使用新产品

据悉，新产品将用于英伟达的新一代 AI 计算产品。

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