邁入儲存新紀元！ SK海力士宣布2025年量產321層超高層數快閃記憶體

8月21日消息，近日，NAND快閃記憶體技術再次取得重大突破，開啟了儲存領域的新篇章。據業內消息透露，全球主要儲存製造商正競相推出超高層數的快閃記憶體產品，引發了業界對儲存密度和效能的新期待。

SK海力士近期宣布推出了一款令人矚目的300 層快閃記憶體，標誌著NAND快閃記憶體技術在堆疊層數方面的巨大進步。這款快閃記憶體擁有驚人的321層，採用TLC技術，單一Die的容量高達1Tb(128GB)，然而，這款產品將於2025年才能量產。

三星也不甘示弱，據韓國媒體透露，他們計劃在2024年推出自己的300 層快閃記憶體產品，力爭領先一步。雖然目前三星的快閃記憶體細節尚未公開，但可以確定的是，該產品依然採用雙重堆疊技術，並在細節方面進行了一系列創新。

值得一提的是，除了層數的提升，快閃記憶體容量也不斷刷新紀錄。三星最近發表了一款高達256TB的企業級SSD，採用QLC技術，以滿足企業級市場對大容量儲存的需求。此外，他們也正在積極研發PB級的SSD，預計超過1000TB的儲存容量將在不久的將來成為現實

小編了解到，持續創新的NAND快閃記憶體技術將對資料儲存和處理領域產生重大影響。隨著技術的進步，儲存設備的容量將會增加，速度也會更快，為各種應用場景提供更強大的支援

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