SK海力士發表321層閃存，儲存效率提升，引領新時代

韓國半導體巨頭SK海力士在8月9日宣布取得了重大突破，成功發布了全新的321層1Tb TLC NAND閃存，使其成為全球首家正式開發300層以上NAND閃存的公司

SK海力士在NAND快閃記憶體領域取得了巨大的進步，他們的突破性技術成果是321層1Tb TLC NAND，相比上一代的238層512Gb NAND，效率提升了驚人的59%。透過增加每個晶片中儲存單元的數量和層數，SK海力士成功實現了更大的儲存容量，不僅提高了單片的儲存能力，還有效地提升了每個晶圓上晶片的產量

SK海力士計畫在2025年上半年開始量產這款321層1Tb TLC NAND閃存，為市場提供更大容量、更高效率的儲存解決方案。

據小編了解，SK海力士除了推出了具有突破性的321層1Tb TLC NAND閃存，還推出了適應不同需求的下一代NAND產品。其中，企業級固態硬碟(eSSD)採用了PCIe 5(Gen5)接口，為企業級用戶提供更快速的資料傳輸能力。此外，行動裝置領域也將迎來UFS 4.0的亮點，為手機等裝置帶來更高速的快閃儲存效能

SK海力士表示，公司將持續改善現有技術，並積極投入研發下一代產品，包括適應未來市場需求的PCIe 6.0和UFS 5.0產品，以引領產業發展。這些創新措施將進一步鞏固SK海力士在半導體領域的領導地位，並為全球科技發展做出重要貢獻

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