記憶體時序1t和2t的差別

記憶體時序1t和2t的差異：

#1T有較少的延遲，較好的系統記憶體效能。卻較差的兼容性。適合您的DIMM未插滿時。
2T擁有較長的延遲、差很多的系統記憶體較能。較高的相容性、穩定性。適合您的DIMM已全部插滿時。

擴充資料：

記憶體時序（英文：Memory timings或RAM timings）是描述同步動態隨機存取記憶體（SDRAM）效能的四個參數：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時脈週期。它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數字，例如7-8-8-24。第四個參數（RAS）常被省略，而有時也會加入第五個參數：Command rate（指令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。這些參數指定了影響隨機存取記憶體速度的潛伏時間（延遲時間）。較低的數字通常意味著更快的效能。決定係統效能的最終元素是實際的延遲時間，通常以奈秒為單位。

當記憶體時序轉換為實際的延遲時，最重要的是注意它是以時脈週期為單位。如果不知道時鐘週期的時間，就不可能了解一組數字是否比另一組數字更快。

舉例來說，DDR3-2000記憶體的時脈頻率是1000 MHz，其時脈週期為1 ns。基於這個1 ns的時鐘，CL=7給出的絕對延遲為7 ns。而更快的DDR3-2666（時脈1333 MHz，每個週期0.75 ns）則可能用更大的CL=9，但產生的絕對延遲6.75 ns更短。

現代DIMM包含一個串列存在偵測（SPD）ROM晶片，其中包含為自動配置建議的記憶體時序。 PC上的BIOS可能允許使用者調整時序以提高效能（有降低穩定性的風險），或在某些情況下增加穩定性（如使用建議的時序）。

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