三星 8 層 HBM3E 晶片克服熱量和功耗障礙，獲得 Nvidia 批准

三星電子其8層HBM3E記憶體晶片已成功通過Nvidia的嚴格測試，將自己定位為快速成長的AI晶片產業的關鍵供應商。 HBM（即高頻寬記憶體）是一種特殊類型的 DRAM，旨在以閃電般的速度處理大量資料。它是支援人工智慧應用所需的複雜計算的關鍵組件。 HBM3E 是最新版本，提供比 HBM3 更高的效能和能源效率。

獲得 Nvidia 的批准對三星來說是一個障礙，三星先前曾面臨與 HBM 晶片的熱量和功耗相關的挑戰。隨著人工智慧應用的要求變得越來越高，該公司已經解決了這些問題，以滿足 Nvidia 的標準。三星以及 SK 海力士和美光等公司正在競相滿足這項需求。

雖然三星的 12 層 HBM3E 晶片仍在評估中，但無論如何，8 層版本的批准對於該公司來說是向前邁出的一步。英偉達最近也首次批准了三星第四代高頻寬記憶體晶片HBM3。不過，路透社先前表示，這些晶片很可能只會用於中國專用的 Nvidia 顯示卡。

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