SK 海力士 8 月 6 日將展示 AI 相關新品：12 層 HBM3E、321-high NAND 等

本站8 月1 日消息，SK 海力士今天（8 月1 日）發布博文，宣布將出席8 月6 日至8 日，在美國加利福尼亞州聖克拉拉舉行的全球半導體存儲器峰會FMS 2024，展示諸多新一代產品。

未來記憶體和儲存高峰會（Future Memory and Storage）簡介

前身是主要面向NAND 供應商的快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit），在人工智慧技術日益受到關注的背景下，今年重新命名為未來記憶體和儲存高峰會（Future Memory and Storage），以邀請DRAM 和儲存供應商等更多參與者。

新產品

SK 海力士去年在FMS 活動中宣布開發出業界最高的321 層NAND，今年也將展示諸多AI 領域的新產品，包括12 層HBM3E（預計在第三季度量產）和321 -high NAND（明年上半年開始出貨）。本站附上SK海力士即將展示的新產品如下：

從左上開始，順時針依次為321 層NAND 閃存、ZUFS 4.0、PS1010 和PCB01

。為LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和GDDR6-AiM

演講

SK hynix HBM 製程整合主管Unoh Kwon 和SSD PMO 主管Chunsung Kim 將在活動開幕式上發表題為《人工智慧時代的AI 記憶體和人工智慧解決方案領導與願景》的主題演講。

兩位主管將分別介紹公司的 DRAM 和 NAND 產品組合，以及為實現人工智慧而優化的人工智慧記憶體解決方案。

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