本站 7 月 30 日消息，美光當地時間今日宣布，其第九代（本站註：276 層）3D TLC NAND 閃存量產出貨。
美光錶示其G9 NAND 擁有業界最高的3.6GB/s I/O 傳輸速率（即3600MT/s 快閃介面速率），較2400MT/s 的現有競品更好滿足資料密集型工作負載對高吞吐量的需求。
同時美光的G9 NAND 在寫入頻寬和讀取頻寬方面比市場上的其他解決方案分別高出99% 和88%，這一NAND 顆粒層面的優勢將為固態硬碟和嵌入式儲存方案帶來性能與能效的提升。
此外，與前代美光 NAND 快閃記憶體一樣，美光 276 層 3D TLC 顆粒採用了 11.5mm × 13.5mm 的緊湊封裝規格，可減少 28% 的 PCB 面積佔用，為更多的設計方案創造了可能。
美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：
美光 G9 NAND 的出貨證明了美光在製程技術和設計創新方面的實力。
與目前市場上的競爭產品相比，美光 G9 NAND 的密度提升了至高 73%，從而實現了更緊湊、更有效率的儲存解決方案，使消費者和企業都能從中受益。
美光執行副總裁兼首席業務長 Sumit Sadana 表示：
美光已連續第三代在業界率先推出創新、領先的 NAND 技術。與競爭產品相比，整合美光 G9 NAND 的產品可提供明顯優勢的效能。
美光 G9 NAND 將成為儲存創新的基礎，為所有終端市場的客戶帶來價值。
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