英特爾詳解 Intel 3 製程：應用更多 EUV 微影，同功耗頻率提升至多 18%

本站 6 月 19 日訊息，作為 2024 IEEE VLSI 研討會活動的一部分，英特爾近日在官網介紹了 Intel 3 製程節點的技術細節。

Intel公司最新一代FinFET晶體管技術為英特爾最新一代FinFET晶體管技術，與Intel 4相比增加了使用EUV的步驟，同時也將是一個長期提供代工服務的節點家族，包含基礎Intel 3和三個變體節點。

其中，Intel 3-E 原生支援1.2V 高電壓，適合類比模組的製造；而未來的Intel 3-PT 進一步提升了整體性能，並支援更精細的9μm 間距TSV 和混合鍵合。

英特爾宣稱，作為其“終極 FinFET 工藝”，Intel 3-PT 將在未來多年成為主流選擇，與埃米級工藝節點一同被內部和外部代工客戶使用。

Intel4製程比較僅包含240nm高效能庫（本站註：HP庫）的Intel3引入了210nm的高密度（HD）庫，在電晶體管性能取向上提供更多可能性。

英特爾表示，其基礎Intel 3 製程在採用高密度庫的情況下，可相較Intel 4 製程至多可提升18% 頻率。

此外英特爾也宣稱基礎版 Intel 3 製程密度也增加了 10%，實現了「全節點」等級的提升。

而在電晶體上的金屬佈線層部分，Intel 3 在Intel 4 的14+2 層外也提供了12+ 2 和19+2 兩種新選項，分別針對低成本和高效能用途。

具體到每個金屬層而言，英特爾在Intel 3 的M0 和M1 等關鍵層上保持了與Intel 4 相同的間距，主要是將M2 和M4 的間距從45nm 降低至42nm。

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