消息指出三星電子考慮在 HBM4 記憶體上採用 1c nm 製程 DRAM，提升能源效率競爭力

本站5 月17 日消息，韓媒ZDNet Korea 今日報道稱，三星電子考慮在HBM4 內存上使用1c nm 過程（第六代10+nm 級）DRAM 裸片，以提升其產品在能源效率等方面的競爭力。

三星電子代表今年稍早在產業會議Memcon 2024 上表示，該企業計劃在今年底前實現1c nm 流程的量產；而在HBM4 方面，三星電子預計在明年完成該新型AI記憶體的開發，2026 年實現量產。

在目前已量產的HBM3E 上，三星並未像競爭對手SK 海力士、美光那樣採用1b nm 製程DRAM 裸片，而是仍使用1a nm 顆粒，在能耗方面處於劣勢。

這被消息人士認為是三星內部考慮在 HBM4 上就導入 1c nm DRAM 顆粒的重要誘因。

本站獲悉，同一流程節點的首批DRAM 產品一般是面向桌面和行動端市場的標準DDR / LPDDR 產品，等到成熟後才會在高價值低良率的HBM 中引入新流程。

消息人士還稱，三星電子 HBM 業務相關高階主管和工作小組也計劃同步將 HBM4 的開發時間週期縮短，以跟上 AI 處理器廠商的需求。但這必然會帶來更大的良率風險。

目前 HBM 記憶體領域的領導企業 SK 海力士已表達了計劃在 HBM4E 上導入 1c nm 製程顆粒的意向，但尚未正式確認 HBM4 內存具體使用哪種過程的 DRAM。

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