三星電子：正按計畫推進 eMRAM 記憶體製程升級，8nm 版本基本完成開發

本站 5 月 31 日訊息，三星電子代表昨日在韓國「AI-PIM 研討會」上表示，正按計畫逐步推進 eMRAM 記憶體的製程升級，目前 8nm eMRAM 的技術開發已基本完成。

作為一種新型內存，MRAM 基於磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM 內存一樣不斷刷新數據，更為節能高效；

同時MRAM 的寫入速度又是NAND 的1000 倍，支援對寫入速率要求更高的應用。

▲eMRAM 儲存原理

eMRAM 即面向嵌入式領域的 MRAM。 三星電子目前具有 28nm eMRAM 的生產能力，已在向智慧手錶等終端產品供貨。

根據本站2023 年的報告，三星電子當時表示計劃在 2024 年量產 14nm eMRAM；2026 年量產 8nm 的 eMRAM；到 2027 年將更進一步，實現 5nm 製程 eMRAM 量產。

目前三星電子已完成 14nm eMRAM 的開發，8nm eMRAM 開發也基本完成，仍計劃在 2027 年推出 5nm eMRAM。

三星電子認為未來車用領域對 eMRAM 的需求將持續成長，其產品目前耐溫能力已達 150~160℃，足以滿足汽車產業對半導體的嚴苛要求。

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