SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產線已超兩成用於 HBM 內存

本站5 月14 日消息，根據韓媒Hankyung 報道，兩大儲存巨頭SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體DRAM 生產線中已有兩成用於HBM 記憶體的生產。

相較於通用 DRAM，HBM 記憶體坐擁更高單價，不過由於 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統記憶體的兩倍乃至三倍。記憶體企業唯有提升產線佔比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。

正是在這種「產能佔用」的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會下降。

SK 海力士再次確認，根據截至今年底的生產能力，目前該企業已經完成了對2025 年HBM 內存產能的分配；

三星電子方面則稱自身HBM 訂單情況和對手大致相同，也已售罄，並預估明年不會出現HBM 內存供過於求的情況。

三星電子代表確認該公司 HBM4 記憶體計畫於明年完成開發，2026 年實現量產，並表示三星電子計畫在 HBM4 記憶體中開始應用混合鍵結。

本站稍早前的報告中提到，SK 海力士認為其在 HBM4 上就應用混合鍵合的可能性不大，持有同三星電子不一致的觀點。

此外，兩家企業都對企業級固態硬碟市場持樂觀態度，三星電子方面的代表認為相關需求的成長將是長期趨勢。

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